名古屋大ら、AlN系材料で良好なpn接合を作製：分布型分極ドーピング手法で形成

名古屋大学と旭化成による研究グループは、窒化アルミニウム（AlN）系材料を用い、極めて良好な特性を示すpn接合を作製した。次世代の高周波デバイスや関連キーワードはありません