名古屋大、GaN基板レーザースライス技術を開発：切断時間が短くロスも極めて少ない

名古屋大学は、GaN（窒化ガリウム）基板の切り出しを「少ないロス」で「短時間に行う」ことができるレーザースライス技術を、浜松ホトニクスと共同で開発関連キーワードはありません