水素イオン注入がSiCパワー半導体の課題を解決 - 国立大学法人名古屋工業大学

名古屋工業大学大学院工学研究科の加藤正史准教授、名古屋大学未来材料・システム研究所の原田俊太准教授および住重アテックス株式会社の研究チームは、SiC関連キーワードはありません