For Future 先端技術（184）名古屋大学 GaN系次世代光電子ビーム源 | 日刊工業新聞 電子版

名古屋大学の天野浩教授らが取り組む窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体材料... （残り：1,301文字／本文：1,351文字）. ※この記事の続きや関連記事は、会員登録 すること関連キーワードはありません